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Tensão de divisão 250 V da Dreno-fonte do MOSFET P-Chan das peças IRFR9214PBF da aviação
| Número do modelo | IRFR9214PBF |
|---|---|
| Quantidade de ordem mínima | PCes 1 |
| Preço | Negociável |
| Detalhes da embalagem | caixas |
| Termos de pagamento | L/C, T/T |
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xDetalhes do produto
| Fabricante | VISHAY | Categoria de produto | MOSFET |
|---|---|---|---|
| Tecnologia | Si | Montando o estilo | SMD/SMT |
| Pacote/caso | TO-252-3 | Polaridade do transistor | P-canal |
| Identificação - Corrente contínua do dreno | 2,7 A | RDS - na resistência da Dreno-fonte | 3 ohms |
| Destacar | IRFR9214PBF Partes de aviação,Partes de aeronaves de 250 V,MOSFET IRFR9214PBF de 250 V |
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Descrição de produto
Peças de aviação IRFR9214PBF MOSFET P-Chan Fonte de dreno Tensão de ruptura 250 V
Descrições das peças de aviação:
Os MOSFETs de potência de terceira geração da Vishay utilizam técnicas avançadas de processamento para obter baixa resistência por área de silício.Esse benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o design de dispositivo robusto pelo qual os MOSFETs de potência são bem conhecidos, fornece ao projetista um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em uma ampla variedade de aplicações.O DPAK foi projetado para montagem em superfície usando técnicas de soldagem em fase de vapor, infravermelho ou onda.A versão de chumbo reto (série IRFU, SiHFU) é para aplicações de montagem de furo passante.Níveis de dissipação de energia de até 1,5 W são possíveis em aplicações típicas de montagem em superfície.
Características das peças de aviação:
- Tecnologia de processo avançada
- Totalmente classificado como avalanche
- Montagem em superfície (IRFR9214, SiHFR9214)
- Ponta reta (IRFU9214, SiHFU9214)
- canal P
- Mudança rápida
Especificações das peças de aviação:
| Atributo do produto | Valor do atributo |
| Fabricante: | Vishay |
| Categoria de Produto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalhes |
| Tecnologia: | Si |
| Estilo de montagem: | SMD/SMT |
| Pacote / Estojo: | TO-252-3 |
| Polaridade do transistor: | Canal P |
| Número de canais: | 1 canal |
| Vds - Tensão de interrupção da fonte de dreno: | 250 V |
| Id - Corrente de Drenagem Contínua: | 2,7 A |
| Rds On - Resistência da Fonte de Dreno: | 3 ohms |
| Vgs - Tensão da Fonte do Gate: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensão limite da fonte de porta: | 4V |
| Qg - Carga do Portão: | 14 nC |
| Temperatura operacional mínima: | - 55 C |
| Temperatura operacional máxima: | + 150 C |
| Pd - Dissipação de energia: | 50 W |
| Modo de Canal: | Aprimoramento |
| Series: | IRFR/U |
| Embalagem: | Tubo |
| Marca: | Semicondutores Vishay |
| Configuração: | Solteiro |
| Altura: | 2,38 mm |
| Comprimento: | 6,73 mm |
| Tipo de Produto: | MOSFET |
| Quantidade do pacote de fábrica: | 3000 |
| Subcategoria: | MOSFETs |
| Largura: | 6,22 mm |
| Unidade de peso: | 0,011640 onças |
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