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tensão baixa VCBO 100V do coletor de 50MHz MJE182G BJT

Número do modelo MJE182G BJT
Preço Negociável
Detalhes da embalagem caixas
Tempo de entrega 12-14 semanas
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Detalhes do produto
MFR onsemi Categoria de produto Transistor bipolares - BJT
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima 80 V Tensão baixa VCBO do coletor 100 V
Tensão baixa VEBO do emissor 7 V Tensão de saturação do Coletor-emissor 1,7 V
Corrente Máxima do Coletor DC 3 A Paládio - dissipação de poder W 12,5
Produto fT da largura de banda do ganho 50 megahertz Temperatura de funcionamento mínima - 65 C
Destacar

coletor de 50MHz BJT

,

Coletor 100V de BJT

,

MJE182G

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Descrição de produto

Tensão baixa VCBO 100 V do coletor das peças MJE182G BJT da aviação
 
 
Descrições das peças da aviação:
 
A série MJE170/180 é projetada para o amplificador audio da baixa potência e baixas aplicações de comutação atuais, de alta velocidade.
 
Características das peças da aviação:

  • • Ganho atual alto de C.C.

    • Produto alto da largura de banda do − de Current−Gain

    • Construção anular para baixos escapamentos

    • A cola Epoxy encontra UL 94 V−0 @ 0,125 dentro

    • Estes dispositivos são Pb−Free e são RoHS Compliant*

Especificações das peças da aviação:
 

Atributo de produto Valor de atributo
Fabricante: onsemi
Categoria de produto: Transistor bipolares - BJT
RoHS: Detalhes
Montando o estilo: Através do furo
Pacote/caso: TO-225-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Único
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima: 80 V
Tensão baixa VCBO do coletor: 100 V
Tensão baixa VEBO do emissor: 7 V
Tensão de saturação do Coletor-emissor: 1,7 V
Corrente de coletor máxima da C.C.: 3 A
Paládio - dissipação de poder: W 12,5
Produto fT da largura de banda do ganho: 50 megahertz
Temperatura de funcionamento mínima: - 65 C
Temperatura de funcionamento máximo: + 150 C
Série: MJE182
Empacotamento: Volume
Tipo: onsemi
Corrente de coletor contínua: 3 A
Coletor da C.C./minuto baixo do hfe do ganho: 50
Altura: 11,04 milímetros
Comprimento: 7,74 milímetros
Tipo de produto: BJTs - transistor bipolares
Quantidade do bloco da fábrica: 500
Subcategoria: Transistor
Tecnologia: Si
Largura: 2,66 milímetros
Peso de unidade: 0,023986 onças

 
 
tensão baixa VCBO 100V do coletor de 50MHz MJE182G BJT 0

tensão baixa VCBO 100V do coletor de 50MHz MJE182G BJT 1