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tensão baixa VCBO 100V do coletor de 50MHz MJE182G BJT

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xMFR | onsemi | Categoria de produto | Transistor bipolares - BJT |
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Tensão VCEO do emissor do coletor máxima | 80 V | Tensão baixa VCBO do coletor | 100 V |
Tensão baixa VEBO do emissor | 7 V | Tensão de saturação do Coletor-emissor | 1,7 V |
Corrente Máxima do Coletor DC | 3 A | Paládio - dissipação de poder | W 12,5 |
Produto fT da largura de banda do ganho | 50 megahertz | Temperatura de funcionamento mínima | - 65 C |
Destacar | coletor de 50MHz BJT,Coletor 100V de BJT,MJE182G |
Tensão baixa VCBO 100 V do coletor das peças MJE182G BJT da aviação
Descrições das peças da aviação:
A série MJE170/180 é projetada para o amplificador audio da baixa potência e baixas aplicações de comutação atuais, de alta velocidade.
Características das peças da aviação:
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• Ganho atual alto de C.C.
• Produto alto da largura de banda do − de Current−Gain
• Construção anular para baixos escapamentos
• A cola Epoxy encontra UL 94 V−0 @ 0,125 dentro
• Estes dispositivos são Pb−Free e são RoHS Compliant*
Especificações das peças da aviação:
Atributo de produto | Valor de atributo |
Fabricante: | onsemi |
Categoria de produto: | Transistor bipolares - BJT |
RoHS: | Detalhes |
Montando o estilo: | Através do furo |
Pacote/caso: | TO-225-3 |
Polaridade do transistor: | NPN |
Configuração: | Único |
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima: | 80 V |
Tensão baixa VCBO do coletor: | 100 V |
Tensão baixa VEBO do emissor: | 7 V |
Tensão de saturação do Coletor-emissor: | 1,7 V |
Corrente de coletor máxima da C.C.: | 3 A |
Paládio - dissipação de poder: | W 12,5 |
Produto fT da largura de banda do ganho: | 50 megahertz |
Temperatura de funcionamento mínima: | - 65 C |
Temperatura de funcionamento máximo: | + 150 C |
Série: | MJE182 |
Empacotamento: | Volume |
Tipo: | onsemi |
Corrente de coletor contínua: | 3 A |
Coletor da C.C./minuto baixo do hfe do ganho: | 50 |
Altura: | 11,04 milímetros |
Comprimento: | 7,74 milímetros |
Tipo de produto: | BJTs - transistor bipolares |
Quantidade do bloco da fábrica: | 500 |
Subcategoria: | Transistor |
Tecnologia: | Si |
Largura: | 2,66 milímetros |
Peso de unidade: | 0,023986 onças |
