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Peças Darlington Emitter Transistors 5V da aviação de MJ11033G

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xMFR | onsemi | Categoria de produto | Darlington Transistors |
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Tensão VCEO do emissor do coletor máxima | 120 V | Tensão baixa VEBO do emissor | 5 V |
Tensão baixa VCBO do coletor | 120 V | Corrente de coletor máxima da C.C. | 50A |
Paládio - dissipação de poder | 300 W | Montando o estilo | Através do furo |
Pacote/caso | TO-204-2 (TO-3) | Temperatura de funcionamento mínima | - 55 C |
Destacar | Peças Darlington Emitter da aviação,Peças 5V da aviação,MJ11033G |
Tensão baixa 5 V do emissor das peças MJ11033G Darlington Transistors da aviação
Descrições das peças da aviação:
Os transistor de poder complementares do silicone de High−Current são para o uso como dispositivos de saída em aplicações de uso geral complementares do amplificador.
Características das peças da aviação:
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• HFE alto do − do ganho atual de C.C. = 1000 (minuto) @ IC = 25 CAD
hFE = 400 (minuto) @ IC = 50 CAD
• Curvas a 100 A (pulsados)
• Proteção do diodo a IC avaliado
• Construção monolítica com o resistor de derivação de Built−In Base−Emitter
• Temperatura de junção a +200C
• Os pacotes de Pb−Free são Available*
Especificações das peças da aviação:
Atributo de produto | Valor de atributo |
Fabricante: | onsemi |
Categoria de produto: | Darlington Transistors |
RoHS: | Detalhes |
Configuração: | Único |
Polaridade do transistor: | PNP |
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima: | 120 V |
Tensão baixa VEBO do emissor: | 5 V |
Tensão baixa VCBO do coletor: | 120 V |
Corrente de coletor máxima da C.C.: | 50 A |
Paládio - dissipação de poder: | 300 W |
Montando o estilo: | Através do furo |
Pacote/caso: | TO-204-2 (TO-3) |
Temperatura de funcionamento mínima: | - 55 C |
Temperatura de funcionamento máximo: | + 150 C |
Série: | MJ11033 |
Empacotamento: | Bandeja |
Tipo: | onsemi |
Corrente de coletor contínua: | 50 A |
Coletor da C.C./minuto baixo do hfe do ganho: | 400, 1000 |
Altura: | 8,51 milímetros |
Comprimento: | 38,86 milímetros |
Tipo de produto: | Darlington Transistors |
Quantidade do bloco da fábrica: | 100 |
Subcategoria: | Transistor |
Largura: | 26,67 milímetros |
Peso de unidade: | 0,495987 onças |
