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Tensão bipolar 60 V do emissor do coletor dos transistor das peças 2N2907A da aviação
| Número do modelo | 2N2907A |
|---|---|
| Quantidade de ordem mínima | PCes 1 |
| Preço | Negotiable |
| Detalhes da embalagem | caixas |
| Termos de pagamento | L/C, T/T |
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xDetalhes do produto
| MFR | MICROCHIP | Produto | Transistor bipolares - BJT |
|---|---|---|---|
| Montando o estilo | Através do furo | Pacote/caso | TO-18-3 |
| Tensão baixa VCBO do coletor | 60 V | Tensão baixa VEBO do emissor | 5 V |
| Tensão de saturação do Coletor-emissor | 1,6 V | Corrente de coletor máxima da C.C. | 600 miliampères |
Descrição de produto
Tensão bipolar 60 V do emissor do coletor dos transistor das peças 2N2907A da aviação
Descrições das peças da aviação:
Os 2N2905A e os 2N2907A são transistor Epitaxial planares do silicone PNP em Jedec TO-39 (para 2N2905A) e no caso do metal de Jedec TO-18 (para 2N2907A). São projetados para o interruptor saturado de alta velocidade e aplicações de uso geral.
Características das peças da aviação:
- Atual alto (max.600mA)
- Baixa tensão (max.60V)
- Revestimento sem chumbo/RoHS complacente (nota 1) (o sufixo de “P” designa RoHS complacente. Informação pedindo See)
Especificações das peças da aviação:
| Atributo de produto | Valor de atributo |
| Fabricante: | Microchip |
| Categoria de produto: | Transistor bipolares - BJT |
| RoHS: | N |
| Montando o estilo: | Através do furo |
| Pacote/caso: | TO-18-3 |
| Polaridade do transistor: | PNP |
| Configuração: | Único |
| Tensão VCEO do emissor do coletor máxima: | 60 V |
| Tensão baixa VCBO do coletor: | 60 V |
| Tensão baixa VEBO do emissor: | 5 V |
| Tensão de saturação do Coletor-emissor: | 1,6 V |
| Corrente de coletor máxima da C.C.: | 600 miliampères |
| Paládio - dissipação de poder: | 500 mW |
| Produto fT da largura de banda do ganho: | - |
| Temperatura de funcionamento mínima: | - 65 C |
| Temperatura de funcionamento máximo: | + 200 C |
| Empacotamento: | Volume |
| Tipo: | Tecnologia do microchip |
| Tipo de produto: | BJTs - transistor bipolares |
| Quantidade do bloco da fábrica: | 1 |
| Subcategoria: | Transistor |
| Tecnologia: | Si |
| Peso de unidade: | 0,050459 onças |
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